直流高壓發(fā)生器的技術(shù)指標(biāo)及原理框圖

一、概述
    直高發(fā)采用了九十年代新技術(shù)、新材料和新器件，具有輸出功率大、體積小、重量輕的特點(diǎn)，有可靠的過(guò)壓、過(guò)流及零位合閘保護(hù)功能，帶0.75倍電壓鎖存功能，并配有時(shí)間繼電器，能在試驗(yàn)中設(shè)置定時(shí)聲訊報(bào)警。整個(gè)儀器便于攜帶，操作方便，安全可靠，特別適用于電力部門現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)。

二、技術(shù)指標(biāo)及使用條件
1、技術(shù)條件
1）電源：AC220V±10%，50Hz±1%
2) 輸出電壓指示精度：<1級(jí)
3) 輸出電流指示精度：<1級(jí)
4) 紋波系數(shù)：≤0.5%
5) 0.75倍輸出電壓指示精度：<1級(jí)，帶鎖存
2、使用條件
1) 相對(duì)濕度：25℃時(shí)不大于85%，無(wú)凝露
2) 工作方式：間斷使用30分鐘
3) 環(huán)境溫度：- 10  40℃
4) 海拔高度：1500m以下
3、保護(hù)功能
1) 內(nèi)部過(guò)壓保護(hù), 內(nèi)部過(guò)流保護(hù)
2) 外部過(guò)壓保護(hù)(保護(hù)電壓可整定), 外部過(guò)流保護(hù)或擊穿保護(hù)
3) 內(nèi)部功率保護(hù)
4) 非零點(diǎn)啟動(dòng)保護(hù)
5) 定時(shí)聲訊報(bào)警

三、原理框圖
    直高發(fā)應(yīng)用最新電力電子技術(shù)，采用先進(jìn)的PWM調(diào)制技術(shù)及大功率MOSFET器件，通過(guò)中頻倍壓整流而成；該發(fā)生器具有紋波系數(shù)小、輸出穩(wěn)定可靠，體積小、重量輕的特點(diǎn)，且具有可靠、靈敏的內(nèi)部保護(hù)功能，其原理框圖如下圖所示。

發(fā)布時(shí)間:2012-8-3 訪問(wèn)次數(shù):7953